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當前位置:首頁產品中心材料樣品處理小型濺射儀KT-Z1650CVD高純度金靶材磁控濺射儀

高純度金靶材磁控濺射儀

產品簡介

不同的蒸發(fā)速率下沉積300nm的Au薄膜,研究蒸發(fā)速率對薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發(fā)速率的提高,薄膜的結構變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。高純度金靶材磁控濺射儀KT-Z1650PVD在較短時間內即可形成具有細粒度的均勻薄膜,儀器結構緊湊,全自動控制,設計符合人體工程學。

產品型號:KT-Z1650CVD
更新時間:2023-12-26
廠商性質:生產廠家
訪問量:1125
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品牌鄭科探濺射氣體根據需求氣體
樣品臺尺寸φ50mm控制方式觸摸屏智能控制
樣品倉尺寸φ160x160mm靶材尺寸50mm
靶材材質金 鉑 銅 銀價格區(qū)間1-5萬
產地類別國產應用領域化工,電子

高純度金靶材磁控濺射儀

在不同的蒸發(fā)速率下沉積300nmAu薄膜,研究蒸發(fā)速率對薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發(fā)速率的提高,薄膜的結構變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。金薄膜方阻隨著蒸發(fā)速率提高無明顯變化,而方阻均勻性變差,但在可接受的范圍內。但蒸發(fā)速率過高會引起金屬大顆粒增多。因此,選用適合的蒸發(fā)速率對Au膜質量有很大影響。


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高純度金靶材

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應用領域:

離子濺射儀在掃描電鏡中應用十分廣泛,通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導電樣品的荷電現象,并提高觀測效率,另外可以使用噴碳附件對樣品進行蒸碳,實現不導電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。

高純度金靶材磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數;

控制方式

7寸人機界面 手動 自動模式切換控制

濺射電源

直流濺射電源

鍍膜功能

0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序

功率

≤1000W

輸出電壓電流

電壓≤1000V  電流≤1A

真空

機械泵 ≤5Pa(5分鐘)   分子泵≤5*10^-3Pa

濺射真空

≤30Pa

擋板類型

電控

真空腔室

石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm

樣品臺

可旋轉φ62  (可安裝φ50基底)

樣品臺轉速

8轉/分鐘

樣品濺射源調節(jié)距離

40-105mm

真空測量

皮拉尼真空計(已安裝 測量范圍10E5Pa  1E-1Pa)

預留真空接口

KF25抽氣口    KF16放氣口   6mm卡套進氣口






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